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在Nature、愈智Science、Nat.Mater.、Nat.Commun.、NanoLett.、Adv.Mater.、Phys.Rev.Lett.、JACS和Angew.Chem.Int.Edit.等国际有重要影响的期刊上发表论文30余篇。这种及时确定的切削应力使滑移集中程度和平面滑移带内存储的共面位错的大小同时最小化，电网同时促进明显的带细化作为主要的应变硬化机制，电网同时提高了屈服强度(2GPa)和断裂伸长率(9%)。而在0Cu中，深圳位错仍然控制着硬化。
在固溶处理的时候，建成级自这些区域往往导致再结晶出现，从而破坏了单晶结构。本内容为作者独立观点，分钟不代表材料人网立场。
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(b)-(d)是在(a)中标记的时刻的电影快照，电网以显示缺口尖端位错构型的演变，这导致了LAGB((c)和(d))的形成。(D)本研究中Sn0.91Pb0.09Se与最先进的p型热电材料之间的PF比较，深圳从低温（T-excessBi0.5Sb1.5Te3,BST）到中温（MgAgSb,PbTe,空穴掺杂的SnSe）范围。
建成级自图3 电子能带结构与温度的关系(A)SnSe在300K时的电子能带结构。Pb合金化进一步促进了这种电子带的合成，分钟同时优化了载流子迁移率和塞贝克系数，从而在Sn0.91Pb0.09Se晶体中产生了超高的PF和ZT值。
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